筆記本SDR內(nèi)存參數(shù)詳解

　　從PC100標(biāo)準(zhǔn)開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，支持SPD功能的主板BIOS就會(huì)讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間。我們可以借助SiSoftSandra2001這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAMPC133U-333-542就表示被測(cè)內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。

　　內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。

　　1、PC66/100SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式

　　(1)1.0---1.2版本

　　這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時(shí)間)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對(duì)CAS的延時(shí))，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2;d表示TRP(RAS的'預(yù)充電時(shí)間)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2;e表示最大的tAC(相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間)，一般為6(ns)或6。5，越短越好;f表示SPD版本號(hào)，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合IntelPC100規(guī)范的為1。2版本以上;g代表修訂版本;h代表模塊類型;R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。

　　(2)1.2b+版本

　　其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時(shí)間)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對(duì)CAS的延時(shí))，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;d表示TRP(RAS的預(yù)充電時(shí)間)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;ee代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2;g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2;h代表模塊類型;R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。

　　2、PC133SDRAM(版本為2.0)內(nèi)存標(biāo)注格式

　　威盛和英特爾都提出了PC133SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD;英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。PC133SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ;b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū);c表示最小的CL(即CAS的延遲時(shí)間)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3;d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4nstAC;g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

　　3、PC1600/2100DDRSDRAM(版本為1.0)內(nèi)存標(biāo)注格式

　　其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s;a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ;b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū);cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如25代表CL=2.5;d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示;ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如75代表7.5nstAC;g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

　　4、RDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式

　　其格式為：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示內(nèi)存容量;b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量;c代表內(nèi)存支持ECC;d保留;e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為800*1/2=400MHZ。

　　5、各廠商內(nèi)存芯片編號(hào)

　　內(nèi)存打假的方法除了識(shí)別內(nèi)存標(biāo)注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編號(hào)。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片，內(nèi)存芯片因?yàn)樯�產(chǎn)廠家的不同，其上的編號(hào)也有所不同。由于韓國(guó)HY和SEC占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)定，價(jià)格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內(nèi)存，先來看看它們的內(nèi)存芯片編號(hào)。

　　(1)HYUNDAI(現(xiàn)代)

　　現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：

　　其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品;5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef);fg代

　　表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位);h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成(1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系);I代表接口(0=LVTTL[LowVoltageTTL]接口);j代表內(nèi)核版本(可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz]，8=8ns[125MHz]，10p=10ns[PC-100CL2或3]，10s=10ns[PC-100CL3]，10=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz])。

　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh　cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400milTSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

　　1.SDRAM內(nèi)存(老版本

　　第1字段由HY組成，代表現(xiàn)代產(chǎn)品。

　　第2字段代表產(chǎn)品類型，57代表DRAM;5D代表DDRSDRAM。

　　第3字段代表電壓，V代表3.3V;U代表2.5V。

　　第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。

　　第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬，40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。